Objetivo IGZO

IGZO es un óxido amorfo que contiene indio, galio y zinc, y su movilidad portadora es de 20 a 30 veces mayor que la del silicio amorfo. Puede mejorar en gran medida la tasa de carga y descarga del electrodo de píxeles TFT y mejorar la velocidad de respuesta de los píxeles, logrando así una tasa de actualización más rápida. Al mismo tiempo, una respuesta más rápida también mejora en gran medida la tasa de escaneo de línea de píxeles, lo que hace posible una resolución ultra alta en TFT-LCD. Además, debido a la cantidad reducida de transistores y la transmisión de luz mejorada por píxel, las pantallas IGZO tienen un menor consumo de energía y una mayor eficiencia. El TFT de óxido metálico tiene las ventajas de una alta movilidad, buena uniformidad de película, baja temperatura de proceso, alta estabilidad y bajo costo de fabricación.